{"product_id":"ieej-edd08036","title":"AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08036\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBreakdown Voltage Enhancement in AlGaN Channel HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e南條拓真 (三菱電機),吹田 宗義(三菱電機),阿部 雄次(三菱電機),大石 敏之(三菱電機),徳田 安紀(三菱電機),武内 道一(理化学研究所・東京工業大学),青柳 克信(理化学研究所・東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakuma Nanjo(Mitsubishi Electric Corp.),Muneyoshi Suita(Mitsubishi Electric Corp.),Yuji Abe(Mitsubishi Electric Corp.),Toshiyuki Oishi(Mitsubishi Electric Corp.),Yasunari Tokuda(Mitsubishi Electric Corp.),Misaichi Takeuchi(Riken,Tokyo Tech.),Yoshinobu Aoyagi(Riken,Tokyo Tech.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eAlGaNチャネルHEMT|高耐圧|高出力|高周波|高電子移動度トランジスタ|AlGaN channel HEMT|high breakdown voltage|high power|high frequency|high-electron mobility transistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e634 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362095386863,"sku":"IEEJ-EDD08036-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_71ed2023-6c56-4ecf-89df-3ccbbfe46b74.png?v=1743619372","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08036","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}