{"product_id":"ieej-edd08038","title":"低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN\/GaN HFET","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08038\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAlGaN\/GaN HFETs with a low-temperature GaN cap layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e脇 英司(新日本無線),小野 悟(新日本無線),出口 忠義(新日本無線),中川 敦(新日本無線),寺田 豊(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eEiji Waki(New Japan Radio Co.,Ltd),Satoru Ono(New Japan Radio Co.,Ltd),Tadayoshi Deguchi(New Japan Radio Co.,Ltd),Atsushi Nakagawa(New Japan Radio Co.,Ltd),Yutaka Terada(Nagoya Institute of Technology),Takashi Egawa(Nagoya Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eAlGaN|GaN|HFET|低温成長GaN|キャップ層|電流コラプス|リーク電流|オーミック接触|AlGaN|GaN|HFET|low-temperature GaN|cap layer|current collapse|leakage current|ohmic contact\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,112 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362095452399,"sku":"IEEJ-EDD08038-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2ce63681-1799-43bf-966e-26cfd89bfcec.png?v=1743619376","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08038","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}