{"product_id":"ieej-edd08040","title":"ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08040\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003ePresent Status and Prospects of Diamond RF Transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e嘉数 誠(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所),植田 研二(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所),影島 博之(日本電信電話・NTT物性科学基礎研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMakoto Kasu(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation),Kenji Ueda(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation),Hiroyuki Kageshima(NTT Basic Research Laboratories,NTT Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eダイヤモンド|FET|高周波特性|電力特性|イオン注入|高圧高温アニール|diamond|FET|RF characteristics|power characteristics|ion implantation|HPHT annealing\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e619 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362095583471,"sku":"IEEJ-EDD08040-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_fb42c8be-cc11-44c8-9090-fc9cfb63de3c.png?v=1743619387","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}