{"product_id":"ieej-edd08041","title":"横方向スケーリングによるInP系HEMTの高周波特性向上","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEnhancement of High-Frequency Characteristics of InP-Based HEMTs by Lateral Scaling\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e原 直紀(富士通),高橋 剛(富士通),牧山 剛三(富士通),多木俊裕研究所 (富士通研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNaoki Hara(Fujitsu Ltd.),Tsuyoshi Takahashi(Fujitsu Ltd.),Kozo Makiyama(Fujitsu Ltd.),Toshihiro Ohki(Fujitsu Laboratories Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInP系HEMT|スケーリング|ミリ波応用|安定性|InP-based HEMT|scaling|millimeter-wave applications|stability\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e388 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362095616239,"sku":"IEEJ-EDD08041-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f428942f-506e-4172-9f26-c71dae2a68b9.png?v=1743619390","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08041","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}