{"product_id":"ieej-edd08044","title":"GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08044\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIssues and Performance Demonstration of Sub-100 nm Gate Length Germanium Channel PMOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山本豊二(MIRAI-ASET),山下良美(MIRAI-ASET),原田正臣(MIRAI-ASET),池田圭司(MIRAI-ASET),鈴木邦広(MIRAI-ASET),杉山直治(MIRAI-ASET),田岡紀之(MIRAI-産総研ASRC),木曽修(MIRAI-産総研ASRC),高木信一(MIRAI-産総研ASRC,東京大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eToyoji Yamamoto(MIRAI-ASET),Yoshimi Yamashita(MIRAI-ASET),Masatomi Harada(MIRAI-ASET),Keiji Ikeda(MIRAI-ASET),Kunihiro Suzuki(MIRAI-ASET),Naoharu Sugiyama(MIRAI-ASET),Noriyuki Taoka(MIRAI-AIST),Osamu Kiso(MIRAI-AIST),Shin-ichi Takagi(MIRAI-AIST,The University of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eゲルマニウム|MOSFET|界面特性|Siパッシベーション|移動度|メタルソース・ドレイン|短チャネル効果|Germanium|MOSFET|interface state|Si passivation|mobility|metal source\/drain|short channel effects\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e786 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362095780079,"sku":"IEEJ-EDD08044-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f4aeb6f2-c72e-42b1-a3f2-7c68253045b7.png?v=1743619418","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08044","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}