{"product_id":"ieej-edd08045","title":"新規格化法を用いた工場／製品／水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08045\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/03\/06\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEvaluation of Silicon MOSFET Random Threshold Voltage Fluctuation by Comparing Multiple Fabs and Technologies using a New Normalization Method\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e竹内 潔(MIRAI-Selete,NEC),深井 利憲(MIRAI-Selete),角村 貴昭(MIRAI-Selete),西田 彰男(MIRAI-Selete),蒲原史朗 (MIRAI-Selete),アリフィン ・タムシル・プトラ(東京大学),平本 俊郎(東京大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKiyoshi Takeuchi(MIRAI-Selete,NEC),Toshinori Fukai(MIRAI-Selete),Takaaki Tsunomura(MIRAI-Selete),Akio Nishida(MIRAI-Selete),Shiro Kamohara(MIRAI-Selete),Arifin Tamsir Putra (University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(University of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eCMOS|MOSFET|ばらつき|CMOS|MOSFET|fluctuation|variation\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e473 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362095812847,"sku":"IEEJ-EDD08045-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e2c4909c-1ca4-4786-932b-d6667874d54c.png?v=1743619421","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08045","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}