{"product_id":"ieej-edd08051","title":"次世代HV-IGBT開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08051\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/23\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment for the Next Generation of HV-IGBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中村 勝光(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),斉藤省二(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),久本 好明(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),幡手一成(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),渡辺 友省(三菱電機(株)先端技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKatsumi Nakamura(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Shoji Saito(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Yoshiaki Hisamoto(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Kazunari Hatade(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Tomokatsu Watanabe(Advanced Technology R\u0026amp;C Center,Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eenhanced planar gate cell|Light Punch-Through|LPT-Enhanced Planar IGBT|ライフタイム|トレードオフ特性|安全動作領域|enhanced planar gate cell|Light Punch-Through|LPT-Enhanced Planar IGBT|lifetime|trade-off characteristic|safety operating are\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e3300~6500V耐圧クラスにおけるHV(High-Voltage)-IGBTのデバイス特性を改善するために、①MOSゲート構造として低ON電圧,最大降伏電圧および破壊耐量の三つのデバイス特性のトレードオフ関係を最適化したenhanced planar gate cell構造,②縦構造として低温(≦298K)側での正常なIGBT動作するためにsnap-back特性抑制,高温(≧398K)での熱暴走抑制およびHVデバイス特有な多数の並列動作時に電流分担の面で有効なVce(sat)の温度依存性を正にするため\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eIn order to improve the total performance of the 3300~6500V High-Voltage (HV) IGBT, a double combination concept is adopted: an \"enhanced planar gate cell\" for the emitter side and a \"Light Punch-Through (LPT)\" structure for the collector side. The LPT-Pl\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,139 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362096206063,"sku":"IEEJ-EDD08051-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_6c5e447d-7ddd-4bca-81c1-a42648a9415a.png?v=1743619461","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08051","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}