{"product_id":"ieej-edd08060","title":"HVIC用SOI型1200Vレベルシフト素子の開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08060\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopment of 1200V level shifter device on SOI for HVIC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e白木 聡(デンソー),山田 明(デンソー)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eSatoshi Shiraki(DENSO CORPORATION),Akira Yamada(DENSO CORPORATION)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eSOI|HVIC|レベルシフト素子|高耐圧|カスケード|dV\/dtSOI| HVIC| level-shifter| High- voltage| Cascaded | dV\/dt\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe have developed monolithic SOI type 1200V level shifter for inverter driver IC based on new design concept of cascaded 120V LDMOSFETs. In order to clarify the problem of blocking voltage lowering against high dV\/dt surge, we have analyzed transient beha\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,077 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 10","offer_id":46362096304367,"sku":"IEEJ-EDD08060-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ff5fef77-3c7c-42ff-ad66-e2e1fd2f8c6b.png?v=1743619468","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08060","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}