{"product_id":"ieej-edd08061","title":"第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08061\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eThe 2nd Generation divided RESURF structure for High Voltage ICs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e清水 和宏(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKazuhiro Shimizu(Mitsubishi Electric Corporation),Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高耐圧IC| リサーフ|ゲートドライバー|IPMHVIC| RESURF| Gate Driver| IPM\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe 2nd generation divided RESURF structure has been developed by applying a P- epitaxial -on-P- substrate layer and micro- N+ buried layer (micro-NB) provided at the edge region of the N+ buried layer (NB). The micro-NB reduces the electric field around \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,118 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362096337135,"sku":"IEEJ-EDD08061-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5725e642-a19f-4070-b916-a1dff83d5b85.png?v=1743619471","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08061","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}