{"product_id":"ieej-edd08069","title":"GaN縦型パワーデバイスの最近の進展","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD08069\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2008\/10\/24\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRecent Advances on GaN Vertical Power Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e加地徹 (豊田中央研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTetsu Kachi(TOYOTA Central R\u0026amp;D Labs.,Inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|パワーデバイス|縦型構造|GaN基板|ノーマリオフ|オン抵抗|GaN|power device|vertical structure|GaN substrate|normally-off|on-resistance\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eFor high power switching devices, a vertical device structure of a GaN power device has been proposed. This structure was similar to double diffused MOSFET without hetero-structure channel. The fabricated device had low specific on resistance of 2.6 mΩ?cm\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e861 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362097156335,"sku":"IEEJ-EDD08069-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3f5f1f63-b7d7-4289-b703-83c1bdddf48c.png?v=1743619561","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd08069","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}