{"product_id":"ieej-edd09038","title":"ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09038\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFabrication of vertical InGaAs-MOSFET with heterostructure launcher and intrinsic channel\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e齋藤 尚史(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学),宮本 恭幸(東京工業大学),古屋 一仁(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHisashi Saito(Tokyo Tech),Toru Kanazawa(Tokyo Tech),Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Tech),Kazuhito Furuya(Tokyo Tech)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInGaAs-MOSFET|ヘテロランチャ|真性チャネル|ホットエレクトロン|InGaAs-MOSFET|heterostructure launcher|intrinsic channel|hot electron\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,182 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362157351151,"sku":"IEEJ-EDD09038-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a0599a9f-b0be-40c8-abe9-438151d145b8.png?v=1743623043","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09038","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}