{"product_id":"ieej-edd09039","title":"InGaAsチャネルHEMTにおける真性･寄生遅延の解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09039\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIntrinsic and Parasitic Delay Analysis in InGaAs-Channel HEMTs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e末光 哲也(東北大学),福田 俊介(東北大学),堀池 恒平(東北大学),尾辻 泰一(東北大学),Dae-Hyun Kim (MIT),Jes_s A.del Alamo (MIT)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTetsuya Suemitsu(Tohoku University),Shunsuke Fukuda(Tohoku University),Kohei Horiike(Tohoku University),Taiichi Otsuji(Tohoku University),Dae-Hyun Kim(MIT),Jes_s A.del Alamo (MIT)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e高電子移動度トランジスタ|HEMT|高周波特性|ゲート遅延時間|遮断周波数|InGaAs|InP|high electron mobility transistor|HEMT|high-frequency characteristics|gate delay time|cutoff frequency|InGaAs|InP\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e584 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362157580527,"sku":"IEEJ-EDD09039-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e71bf447-498d-43b6-98d7-80dd4d91c3b9.png?v=1743623067","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09039","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}