{"product_id":"ieej-edd09040","title":"化合物半導体MOSFETの研究開発動向と将来展望","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09040\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCurrent Status and Future Prospective of Compound Semiconductor MOSFETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高木 信一(東京大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShinichi Takagi(The University of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMOSFET|III-V族化合物半導体|移動度|有効質量|バリスティック伝導|MOS界面|MOVPE|選択成長|MOSFET|III-V compound semiconductor|mobility|effective mass|ballistic transport|MOS interfaces|MOVPE|selective epitaxy\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,006 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362157646063,"sku":"IEEJ-EDD09040-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d4fe4e7f-428e-4b1b-b8c1-ed84a8ea38b1.png?v=1743623075","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09040","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}