{"product_id":"ieej-edd09043","title":"AlGaNの表面制御とトランジスタ応用","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09043\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eSurface control of AlGaN for GaN-based transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e橋詰 保(北海道大学),田島 正文(北海道大学),水江 千帆子(北海道大学),大井幸多 (北海道大学),菅原 克也(北海道大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTamotsu Hashizume(Hokkaido University),Masafumi Tajima(Hokkaido University),Chihoko Mizue(Hokkaido University),Kota Ohi(Hokkaido University),Katsuya Sugawara(Hokkaido University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|AlCaN|高電子移動度トランジスタ（HEMT）|深い準位|表面準位|表面制御|GaN|AlGaN|high electron mobility transistor(HEMT)|deep level|surface state|surface control\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e566 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362158104815,"sku":"IEEJ-EDD09043-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_e6bf97e6-286c-4732-a72c-1f6c4b121677.png?v=1743623084","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09043","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}