{"product_id":"ieej-edd09045","title":"HfO2をゲート絶縁膜とするAlGaN.GaN MOSFETの作製と評価･解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09045\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eFabrication and Characterization of AlGaN.GaN MOSFETs with HfO2 Gate Insulator\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e水谷 孝(名古屋大学),杉浦 俊(名古屋大学),林 慶寿(名古屋大学),岸本 茂(名古屋大学),黒田 正行(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),日中毅 (パナソニック)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakashi Mizutani(Nagoya University),Shun Mizutani(Nagoya University),Yoshihisa Hayashi(Nagoya University),Shigeru Kishimoto(Nagoya University),Masayuki Kuroda(Panasonic),Tetsuzou Ueda(Panasonic),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eAlGaN.GaN|MOSFET HfO2|ノーマリオフ|界面トラップ|gm低下|AlGaN.GaN|MOSFET|HfO2|normally-off|interface trap|gm decrease\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e485 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362158596335,"sku":"IEEJ-EDD09045-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3fe9de5d-d941-4648-854e-871d01215d48.png?v=1743623091","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09045","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}