{"product_id":"ieej-edd09046","title":"InAlN.AlGaN.AlN.GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09046\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eElectrical and Device Properties of InAlN.AlGaN.AlGaN Heterostructures\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e廣木正伸 (NTTフォトニクス研究所),前田 就彦(NTTフォトニクス研究所),重川直輝 (NTTフォトニクス研究所),小林 隆(NTTアドバンステクノロジ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasanobu Hiroki(NTT Photonics Laboratories),Narihiko Maeda(NTT Photonics Laboratories),Naoteru Shigekawa(NTT Photonics Laboratories),Takashi KobayashiNTT Advanced Technology Corporation (NTT Photonics Laboratories(NTT Advanced Technology Corporation))\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eInAlN|AlGaN|CaN|ヘテロ構造| 電界効果トランジスタ|InAlN|AlGaN|GaN|Heterostructures|Field Effect Transistors\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e918 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46362159120623,"sku":"IEEJ-EDD09046-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_53dba44c-ce52-4ebb-b6cf-0aacee2b2b85.png?v=1743623094","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09046","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}