{"product_id":"ieej-edd09047","title":"熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN.GaN-HEMT","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09047\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRecessed gate structure MIS-AlGaN.GaN-HEMT with SiN gate insulator deposited by Thermal CVD.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e丸井 俊治(沖電気工業),星 真一(沖電気工業),戸田 典彦(沖電気工業),大来 英之(沖電気工業),伊藤正紀 (沖電気工業),玉井 功(沖電気工業),佐野 芳明(沖電気工業),関 昇平(沖電気工業)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eToshiharu Marui(OKI Electric Industry),Shinichi Hoshi(OKI Electric Industry),Fumihiko Toda(OKI Electric Industry),Hideyuki Okita(OKI Electric Industry),Masanori Itoh(OKI Electric Industry),Isao Tamai(OKI Electric Industry),Yoshiaki Sano(OKI Electric Industry),Shohei Seki(OKI Electric Industry)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eMIS構造|ゲートリセス|AlGaN.GaN-HEMT|熱CVD SiN|ノーマリオフ|MIS structure|recessed gate|AlGaN.GaN-HEMT|thermal CVD SiN|normally-off\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e665 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362159186159,"sku":"IEEJ-EDD09047-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5f32586c-7e90-40c6-b2c4-b919818408cc.png?v=1743623097","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09047","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}