{"product_id":"ieej-edd09048","title":"Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN.AlN.GaN HEMT","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09048\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAlGaN.AlN.GaN HEMT with Si Implantation Doping Technique\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e南條拓真 (三菱電機),吹田 宗義(三菱電機),今井 章文(三菱電機),阿部 雄次(三菱電機),大石 敏之(三菱電機),柳生 栄治(三菱電機),吉新 喜市(三菱電機),徳田 安紀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakuma Nanjo(Mitsubishi Electric Corp.),Muneyoshi Suita(Mitsubishi Electric Corp.),Akifumi Imai(Mitsubishi Electric Corp.),Yuji Abe(Mitsubishi Electric Corp.),Toshiyuki Oishi(Mitsubishi Electric Corp.),Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric Corp.),Kiichi Yoshiara(Mitsubishi Electric Corp.),Yasunari Tokuda(Mitsubishi Electric Corp.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eAlGaN.GaN HEMT|AlGaN.AlN.CaN HEMT|AlNスペーサ|Siイオン注入|高出力|高周波|高電子移動度トランジスタ|AlGaN.GaN HEMT|AlGaN.AlN.GaN HEMT|AlN spacer|Si ion implantation|high power|high frequency|high-electron mobility transistor\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e694 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46362163675375,"sku":"IEEJ-EDD09048-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_a1f7ec42-fa4e-49e4-b0d0-7ec35584b0b8.png?v=1743623126","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09048","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}