{"product_id":"ieej-edd09049","title":"微細化T型ゲートイオン注入GaN.AlGaN.GaN HEMT","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09049\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIon-implanted T shaped gate GaN.AlGaN.GaN HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e太田理奈雄 (法政大学),川田 昌和(法政大学),野本 一貴(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMasanao Ohta(Hosei University),Masakazu Kawada(Hosei University),Kazuki Nomoto(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|HEMT|イオン注入|T型ゲート|高周波|微細化|gallium nitride|HEMT|ion-implantation|T shaped gate|High frequency|scaling\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e488 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362161709295,"sku":"IEEJ-EDD09049-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_db895a97-650b-4b0e-8dcd-aacdf989f5fa.png?v=1743623117","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09049","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}