{"product_id":"ieej-edd09075","title":"GaN縦型pnダイオードの評価","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD09075\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2009\/10\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCharacterization of GaN vertical pn diodes\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e加地徹 (豊田中研),兼近将一 (豊田中研),成田哲生 (豊田中研),上杉 勉(豊田中研)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTetsu Kachi(Toyota Central R\u0026amp;D Labs.,Inc.),Tetsuo Narita(Toyota Central R\u0026amp;D Labs.,Inc.),Masakazu Kanechika(Toyota Central R\u0026amp;D Labs.,Inc.),Tsutomu Uesugi(Toyota Central R\u0026amp;D Labs.,Inc.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eGaN|pnダイオード|耐圧|貫通転位|リーク電流|GaN|pn diode|breakdown voltage|dislocations|leakage current\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e647 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 7","offer_id":46362183893231,"sku":"IEEJ-EDD09075-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_ff8c57df-e15c-49d4-a96a-ed188906b625.png?v=1743623224","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd09075","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}