{"product_id":"ieej-edd10098","title":"多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能\/高耐圧P-Channel MOS","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD10098\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/29\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh performance multi-striped drain HV P-Channel MOS for 1200V HVIC\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e吉野 学(三菱電機),清水 和宏(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYoshino Manabu(Mitsubishi Electric Corporation),Shimizu Kazuhiro(Mitsubishi Electric Corporation),Terashima Tomohide(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e第2世代型分割リサーフ構造を適用し高圧分離構造を高耐圧化することで高耐圧N-Channel MOS及びP-Channel MOSを搭載した1200V HVICプロセスを実現した。高耐圧P-Channel MOSは従来のLDD構造では電流能力が低く高耐圧化によりその欠点は顕著になる。そのため新たに多重ストライプドレイン構造を開発しLDD構造と比べて耐圧を低下させること無く電流能力を大幅に向上させた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e814 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362428768495,"sku":"IEEJ-EDD10098-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c814ac61-c4fe-451c-9d27-469edce94d70.png?v=1743627683","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd10098","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}