{"product_id":"ieej-edd10102","title":"IGBTデバイスの電気特性解析用モデリング技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD10102\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eModeling Technology for Electrical Properties of IGBT Devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e池田 晴信(富士電機システムズ),山田 昭治(富士電機システムズ),藤島 直人(富士電機システムズ)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eIkeda Harunobu(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Yamada Shoji(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Fujishima Naoto(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩＧＢＴ|ＦＷＤ|回路シミュレーション|過渡特性|デバイスモデル|IGBT|FWD|circuit simulation|transient characteristic|device model\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIGBTデバイスの電気特性を回路シミュレーションを使用して解析する場合、特に過渡特性の精度の良いIGBTモデルが無いことが問題となる。今回、回路シミュレーション用のIGBT及びFWDモデルを構築し、さらにモジュールのPKG部分もモデル化することにより、精度の良いIGBTデバイスの電気特性シミュレーションを実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e757 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362430931183,"sku":"IEEJ-EDD10102-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c45a7cd6-7fcd-438a-b59b-85b42bf30aad.png?v=1743627714","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd10102","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}