{"product_id":"ieej-edd10116","title":"InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD10116\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2010\/11\/30\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh speed temperature measurement with InAs infrared sensor for power semiconductor chips\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中道 聡(九州工業大学),藤本 宏海(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNakamichi Soh(Kyushu Institute of Technology),Fujimoto Hiromi(Kyushu Institute of Technology),Omura Ichiro(Kyushu Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e温度測定|赤外線センサ|ＩｎＡｓ|temperature measurement|infrared sensor|InAs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eIGBTなどパワー半導体は今後益々高い電流密度下の厳しい条件で用いられるようになってくると予想される。その限界を定めている破壊現象の測定技術を開発し、破壊のメカニズムを明らかにする事が今後重要となってくる。本研究ではチップの破壊直前の温度上昇をシングルショットで捉える温度測定技術の検討を行った。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e591 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362430996719,"sku":"IEEJ-EDD10116-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d92c8673-3fc1-42e6-ba51-39d1895a3b3a.png?v=1743627721","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd10116","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}