{"product_id":"ieej-edd11036","title":"デュアルシリサイドを用いた低直列抵抗CMOSソース\/ドレイン電極形成技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11036\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow Series Resistance CMOS Source\/Drain Electrode Formation Technology using Dual Silicide\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e黒田 理人(東北大学),田中 宏明(東北大学),中尾 幸久(東北大学),寺本 章伸(東北大学),宮本 直人(東北大学),須川 成利(東北大学),大見 忠弘(東北大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKuroda Rihito(Tohoku University),Tanaka Hiroaki(Tohoku University),Nakao Yukihisa(Tohoku University),Teramoto Akinobu(Tohoku University),Miyamoto Naoto(Tohoku University),Sugawa Shigetoshi(Tohoku University),Ohmi Tadahiro(Tohoku University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＣＭＯＳ|シリサイド|直列抵抗|Ｅｒ|Ｐｄ|Ｗ|CMOS|Silicide|Series Resistance|Er|Pd|W\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eデュアルシリサイドを用いた極低直列抵抗CMOS S\/D 電極形成技術を開発した。大気遮断プロセスで形成したW\/ErSi2\/n+-Siと、W\/Pd2Si\/p+-Si とのメタルスタックトシリサイド構造を用いることで、Rcとして8.0x10^-10ohm-cm2、Rsheet として4.9ohm\/□を達成した。開発技術は、微細CMOSの電流駆動能力向上のために有力なS\/D電極形成のプラットフォーム技術である。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eUltra-low series resistance S\/D electrodes are developed. Rc of 8.0x10^-10ohm-cm^2 and Rsheet of 4.9ohm\/□ are achieved by W\/ErSi2\/n+-Si and W\/Pd2Si\/p+-Si metal stacked silicide structures. CMOS performance is successfully demonstrated. The developed technology is a highly promising S\/D electrode platform for scaled down CMOS to maximize the current drivability.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e948 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362590281967,"sku":"IEEJ-EDD11036-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_8f68440b-11d4-4662-bc98-4adfca366f50.png?v=1743631455","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11036","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}