{"product_id":"ieej-edd11037","title":"22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11037\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/01\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow-Resistive and Homogenous NiPt-Silicide Formation using Ultra-Low Temperature Annealing with Microwave System for 22nm-node CMOS and beyond\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e山口 直(ルネサスエレクトロニクス),川崎 洋司(ルネサスエレクトロニクス),山下 朋弘(ルネサスエレクトロニクス),山本 芳樹(ルネサスエレクトロニクス),後藤 洋太郎(ルネサスエレクトロニクス),土本 淳一(ルネサスエレクトロニクス),工藤 修一(ルネサスエレクトロニクス),前川 和義(ルネサスエレクトロニクス),藤澤 雅彦(ルネサスエレクトロニクス),浅井 孝祐(ルネサスエレクトロニクス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYamaguchi Tadashi(Renesas Electronics),Kawasaki Yoji(Renesas Electronics),Yamashita Tomohiro(Renesas Electronics),Yamamoto Yoshiki(Renesas Electronics),Goto Yotaro(Renesas Electronics),tsuchimoto jun-ichi(Renesas Electronics),Kudo Shuichi(Renesas Electronics),Maekawa Kazuyoshi(Renesas Electronics),Fujisawa Masahiko(Renesas Electronics),Asai Koyu(Renesas Electronics)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eシリサイド|アニール|マイクロ波|ニッケル|ＣＭＯＳ|低温|silicide|anneal|maicrowave|nickel|CMOS|low-temperature\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜を, マイクロ波アニールを用いて低温にて形成することを報告する. マイクロ波アニールで形成された薄膜NiPtシリサイドは低抵抗かつ均質である. また, 浅い接合におけるNiPtシリサイドの異常成長による接合リーク電流の増加を抑えることができる.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA novel NiPt-silicide formation using microwave annealing is proposed, and superior properties of NiPt silicide in ultra-shallow junction are demonstrated for the first time. Low-resistive and homogeneous NiPtSi can be formed, and an increase of the junction leakage current due to the abnormal NiPt-silicide growth is successfully suppressed.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,107 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362590314735,"sku":"IEEJ-EDD11037-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_129bd3f7-cc75-414d-8e6a-ce94c2464510.png?v=1743631459","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11037","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}