{"product_id":"ieej-edd11042","title":"L帯～W帯GaN高出力増幅器技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11042\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eL to W-band GaN Power Amplifier Technology for Wireless Applications\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e松永 高治(日本電気)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKohji MATSUNAGA(NEC Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ＿ＦＥＴ|Ｓｉ基板上ＧａＮ|ＧａＮ＿ＭＭＩＣ|増幅器|高効率|低歪|GaN_FET|GaN on Si substrate|GaN_MMIC|Amplifier|High efficiency|Low distortion\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本報告では、電流コラップスを低減したフィールドプレート構造GaN_FETを搭載した、L帯～Ka帯電力増幅器、さらにはKa帯以上GaN_MMIC増幅器の設計と特性について述べる。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThis paper describes design and performance of L to W-band GaN high power amplifier.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e751 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362590052591,"sku":"IEEJ-EDD11042-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c03c2fe1-7516-4299-944b-9b5d2a7924fb.png?v=1743631449","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11042","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}