{"product_id":"ieej-edd11045","title":"耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11045\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eBlocking-Voltage-Boosting Technology for GaN Transistors by Widening Depletion Layer in Si Substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e梅田 英和(パナソニック株式会社),鈴木 朝実良(パナソニック株式会社),按田 義治(パナソニック株式会社),石田 昌宏(パナソニック株式会社),上田 哲三(パナソニック株式会社),田中 毅(パナソニック),上田 大助(パナソニック株式会社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHidekazu Umeda(Panasonic Corporation),Asamira Suzuki(Panasonic Corporation),Yoshiharu Anda(Panasonic Corporation),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic Corporation),Daisuke Ueda(Panasonic Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ|高耐圧|Ｓｉ基板|反転層|空乏層|GaN|High breakdown voltage|Si substrate|Inversion layer|Depletion layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSi基板に空乏層を形成することで，同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する，いわゆる耐圧ブースト技術を開発した．今回，高ドレイン電圧印加状態において，GaNエピタキシャル層とSi基板の界面に電子チャネルが形成され，この電子チャネルを経路とするリーク電流がトランジスタの耐圧を制限していることを見出した．トランジスタのチップ周辺に，イオン注入により選択的にp型層を形成し，リーク電流を抑制した．これにより，従来，エピタキシャル層の膜厚で決定されていたオフ耐圧が，膜厚を増加させることなく著しく向上することが判明した．膜厚1.9mのエピタキシャル層において，オフ耐圧2200VとSi基板上GaNトランジスタとしては非常に高い値を得た．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe present a novel technique to boost the breakdown voltages of AlGaN\/GaN HFETs on Si substrate with channel stopper formed by ion implantation. The off-state breakdown voltage is increased to 2200V with the stopper from 400V without it over the epitaxial GaN as thin as 1.9μm on insulating Si.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e653 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362590839023,"sku":"IEEJ-EDD11045-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d2969f55-9ec8-4225-9991-2b6d26dc5eb6.png?v=1743631491","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11045","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}