{"product_id":"ieej-edd11049","title":"76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP\/GaAsSb DHBT","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11049\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/03\/02\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Low 1\/f Noise and High Reliability InP\/GaAsSb DHBT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e金谷 康(三菱電機),天清 宗山(三菱電機),渡辺 伸介(三菱電機),山本 佳嗣(三菱電機),小坂 尚希(三菱電機),宮國 晋一(三菱電機),後藤 清毅(三菱電機),島 顕洋(三菱電機)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKanaya Koh(Mitsubishi Electric Corporation),Amasuga Hirotaka(Mitsubishi Electric Corporation),Watanabe Shinsuke(Mitsubishi Electric Corporation),Yamamoto Yoshitsugu(Mitsubishi Electric Corporation),Kosaka Naoki(Mitsubishi Electric Corporation),Miyakuni Shinichi(Mitsubishi Electric Corporation),Goto Seiki(Mitsubishi Electric Corporation),Shima Akihiro(Mitsubishi Electric Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩｎＰ|ＧａＡｓＳｂ|ＨＢＴ|１／ｆ雑音|発振器|位相雑音|InP|GaAsSb|HBT|1\/f noise|recombination current|phase noise\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eInP\/GaAsSb DHBTの再結合電流を解析した結果、ベース表面に起因する準位が支配要因であることが分かった。そこで、ベース表面構造を最適化して再結合電流を抑制した。最適化したHBTの1\/f雑音は7dB低減し、1000hrの高温DC通電試験でも劣化は示さなかった。本HBTを用いた発振器の位相雑音は、最適化前より10dB低い-107 dBc\/Hz@1MHz-Offsetと優れた特性を示した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe have clarified that the recombination current of the InP\/GaAsSb DHBT originates from the base surface.  The optimized HBT offers the lower 1\/f noise than the non-optimized DHBT by 7 dB.  Additionally, in the high temperature burn-in test, no degradation has been observed.  The W-band oscillator with the HBT delivers the lower phase noise of -107 dBc\/Hz at 1MHz-offset compared with the non-optimized HBT oscillator by 10 dB.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e647 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362590970095,"sku":"IEEJ-EDD11049-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_58fe12a7-c3eb-486f-90f8-5674ed730060.png?v=1743631510","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11049","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}