{"product_id":"ieej-edd11050","title":"分極接合を用いたGaNパワー素子","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11050\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGaN power devices using the polarization junction concept\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e中島 昭(産業技術総合研究所),住田 行常(パウデック),八木 修一(パウデック),Mahesh H. Dhyani (シェフィールド大学),河合 弘治(パウデック),E. M. Sankara Narayanan (シェフィールド大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNakajima Akira(AIST),Yasunobu Sumida(POWDEC K. K.),Yagi Shuichi(POWDEC K. K.),Mahesh H. Dhyani (The University of Sheffield),Kawai Hiroji(POWDEC K. K.),E. M. Sankara Narayanan (The University of Sheffield)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|２次元ホールガス|２次元電子ガス|分極接合|超接合|ヘテロ接合電界効果型トランジスタ|GaN|2-D electron gas|2-D hole gas|polarization junction|super junction |HFET\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e本論文では分極接合の基本原理、素子構造の提案、および分極接合を採用したヘテロ接合トランジスタおよびダイオードのサファイア基板上への試作結果について報告する。試作には高密度の2次元電子ガスおよび2次元ホールガスを有するGaN\/AlGaN\/GaNダブルヘテロ構造を用いた。トランジスタおよびダイオード共に1.1kV以上の耐圧が得られ、電流コラプスについても大幅に低減された。また、今後の展望についても報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eGaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFET) and Schottky Barrier Diode (SBD) based on the polarization junction (PJ) concept are demonstrated. PJ concept is a novel field shaping technology utilizing unique polarization properties of group-III nitride semiconductors. These devices were fabricated from a GaN\/AlGaN\/GaN hetero structure with high density 2D hole and electron gas at the respective hetero-interfaces. The fabricated HFETs and SBDs show breakdown voltage above 1.1 kV with no current collapse.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,242 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362591035631,"sku":"IEEJ-EDD11050-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3e15e9fd-e4eb-470d-bbe7-1513312e5ce7.png?v=1743631518","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11050","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}