{"product_id":"ieej-edd11055","title":"パワーダイオードの等価回路モデルに関する一考察～SiC ショットキーバリアダイオードモデルと集中電荷法によるSi PiNダイオードモデル～","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD11055\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2011\/10\/27\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA study on equivalent circuit model of power diode ~SiC schottky barrier diode model and Si PiN diode model based on  the lumped-charge modeling approach~\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e舟木 剛(大阪大学),平野 真希子(大阪大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eFunaki Tsuyoshi(Osaka University),Hirano Makiko(Osaka University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e 本研究ではSiCショットキーバリアダイオードや、SiPiNダイオードのターンオフ動作における振る舞いを模擬するための等価回路モデルについて検討する。　SiCショットキーバリアダイオードに対しては、多数キャリアの振る舞いのみを考慮した等価回路モデルを検討する。SiPiNダイオードに対しては、少数キャリアの振る舞いを集中電荷法により考慮した等価回路モデルについて検討する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,825 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362591133935,"sku":"IEEJ-EDD11055-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3cb8a1a4-f264-4f29-9f95-880a3dc59b5c.png?v=1743631528","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd11055","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}