{"product_id":"ieej-edd12034","title":"P型障壁制御層を有する低リーク電流ＧａＮマルチジャンクションダイオード","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD12034\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/07\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eGaN-based multi-junction diode with low reverse leakage current using p-type barrier controlling layer\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e柴田 大輔(パナソニック),海原 一裕(パナソニック),村田 智洋(パナソニック),山田 康博(パナソニック),森田 竜夫(パナソニック),按田 義治(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),石田 秀俊(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),田中 毅(パナソニック),上田 大助(パナソニック)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eShibata Daisuke(Panasonic Corporation),Kaibara Kazuhiro(Panasonic Corporation),Murata Tomohiro(Panasonic Corporation),Yamada Yasuhiro(Panasonic Corporation),Morita Tatsuo(Panasonic Corporation),Anda Yoshiharu(Panasonic Corporation),Ishida Masahiro(Panasonic Corporation),Ishida Hidetoshi(Panasonic Corporation),Ueda Tetsuzo(Panasonic Corporation),Tanaka Tsuyoshi(Panasonic Corporation),Ueda Daisuke(Panasonic Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ|ダイオード|低リーク電流|大電流|高効率|ＰＦＣ評価|GaN|diode|low leakage current|high forward current|high efficiency|power factor correction\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e我々は、低リーク電流を有し大電流化が実現可能なGaNダイオードを開発した。本ダイオードはAlGaN\/GaNマルチジャンクションとアノード部にP型障壁制御層を有している。P型障壁制御層からの空乏層によってアノード側壁のポテンシャルを制御しリーク電流の起源であるトンネル電流を低減した。作製したP型障壁制御層を有するGaNダイオードは順方向電圧1.5V時に18Aを示し、耐圧は600Vを得た。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe present a novel GaN-based diode with low reverse leakage current. The diode consists of multi-junctions of AlGaN\/GaN with a p-GaN overlayer. The leakage current can be reduced by controlling the potential barrier at the anode sidewall by means of the depletion layer from the p-GaN. The fabricated GaN diode exhibits high forward current of 18A at 1.5V with the breakdown voltages over 600V.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e4,038 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362665550063,"sku":"IEEJ-EDD12034-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5ccd9e7a-2aaa-41ec-bbb6-ee13e8afdeda.png?v=1743635082","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd12034","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}