{"product_id":"ieej-edd12038","title":"原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN\/GaN MOSHFETの作製","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD12038\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eAlGaN\/GaN MOSHFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e宮崎 英志(名古屋大学),岸本 茂(名古屋大学),水谷 孝(名古屋大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMiyazaki Eiji(Nagoya University),Kishimoto Shigeru(Nagoya University),Mizutani Takashi(Nagoya University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＯＳＨＦＥＴ|ＡＬＤ|（ＮＨ４）２Ｓ|界面準位密度|ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ|AlGaN\/GaN MOSHFET|ALD|(NH4)2S|interface state density|gate-first\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eAl2O3\/AlGaN\/GaN MOSHFETの界面特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化アンモニウム)処理を検討した。(NH4)2S処理をMOSHFETに適用したところ、ID - VGS, gm- VGS特性におけるヒステリシス幅が減少し、大きなゲート電圧におけるドレイン電流 の上詰まりも緩和されていた。しかし、界面準位密度の低減には改善の余地が残った。そこで、さらなる界面準位密度の低減を図るべく、Al2O3をオーミックの合金化処理前に形成するgate-first processを検討した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe performed the (NH4)2S surface treatments before Al2O3 deposition to improve the Al2O3\/AlGaN interface quality in Al2O3\/AlGaN\/GaN MOSHFETs. The transconductance (gm) decrease at a large gate voltage was relaxed by the (NH4)2S treatments. However, there was room for improvement in decrease of interface states density.  We have used the gate-first process in fabrication of the MOSHFETs for further improvement of the Al2O3\/AlGaN interface quality.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e6,458 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362665713903,"sku":"IEEJ-EDD12038-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_58bd5b7a-542e-46ed-95a6-d33b77b6bbd3.png?v=1743635092","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd12038","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}