{"product_id":"ieej-edd12039","title":"エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFET の高電流密度化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD12039\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eHigh current density of InGaAs MOSFET by epitaxially grown source\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e宮本 恭幸(東京工業大学),米内 義晴(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMiyamoto Yasuyuki(Tokyo Institute of Technology),Yonai Yoshiharu(Tokyo Institute of Technology),Kanazawa Toru(Tokyo Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＩｎＧａＡｓ　ＭＯＳＦＥＴ|エピタキシャル成長による高濃度ドープソース|再成長ソース|高ドレイン電流|InGaAs MOSFET|Heavily doped source by epitaxial growth|regrown source|High drain current\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e将来のMOSFETにおいてITRSは電源電圧0.6Vで2A\/mm を超える高い電流駆動能力が求めている。高移動度であるInGaAs MOSFET が期待されているが報告された最大ドレイン電流は 1A\/mm 程度に留まっていた。ここでは50nmのチャネル長とエピタキシャル成長による高濃度ソースの組み合わせでドレイン電圧 0.5V で 2.4A\/mm の 高電流密度を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eITRS requests drain current over 2A\/mm at supplied voltage of 0.6 V in future MOSFET. To realize high drivability, high mobility of InGaAs MOSFET is promising. However, reported highest drain current was around 1 A\/mm. In this talk, by combination of heavily doped source by epitaxial growth and 50-nm channel, Id = 2.4A\/mm at Vd=0.5V was observed.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e5,695 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362665746671,"sku":"IEEJ-EDD12039-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_95c8174b-1eb0-41fa-91c0-c922631e8d52.png?v=1743635096","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd12039","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}