{"product_id":"ieej-edd12041","title":"MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD12041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2012\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eLow-Turn-on-Voltage DHBTs with a C-doped InGaAsSb Base Grown by MOCVD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e星 拓也(日本電信電話),杉山 弘樹(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),井田 実(日本電信電話)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHoshi Takuya(NTT Corporation),Sugiyama Hiroki(NTT Corporation),Yokoyama Haruki(NTT Corporation),Kurishima Kenji(NTT Corporation),Ida Minoru(NTT Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eインジウムガリウムヒ素アンチモン|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|有機金属化学気相堆積|低ターン・オン電圧|炭素ドープ|InGaAsSb|HBT|MOCVD|Low turn-on voltage|C-doped\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e通信容量増大に伴うICの低消費電力化が求められており、低電圧動作が見込める狭EgのInGaAsSbベースHBTが期待されている。我々はCドープInGaAsSbのMOCVD成長を行い、高正孔濃度p型伝導を薄膜を得た。またPLにより狭Eg化を確認した。これらの技術を基に、実際にHBTを作製し、低ターンオン電圧動作化を確認した。とくにターンオン電圧と光学特性が、In組成に強く依存していることを見出した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e4,622 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362666107119,"sku":"IEEJ-EDD12041-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_2e198bc1-81c5-412a-a374-4428d689a504.png?v=1743635124","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd12041","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}