{"product_id":"ieej-edd13043","title":"Si基板上のAlGaN\/GaN HEMT技術","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD13043\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eTechnology of AlGaN\/GaN High Electron Mobility Transistors on Si Substrate\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e分島 彰男(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWakejima Akio(Nagoya Institute of Technology),Egawa Takashi(Nagoya Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化物半導体|トランジスタ|Ｓｉ基板|有機金属気層成長|高移動度トランスタ|GaN|Transistor|Si substrtate|MOCVD|HEMT\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eSi基板上の窒化物半導体結晶成長技術とそのエピ結晶を用いた AlGaN\/GaN HEMTの諸特性について報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eDevelopments of heteroepitaxial growth and characteristics of an AlGaN\/GaN HEMT on a Si substrate are reported.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e7,758 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362734952687,"sku":"IEEJ-EDD13043-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f2fabb9a-4929-4d80-bad8-c0bf7ee2a2e2.png?v=1743637604","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd13043","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}