{"product_id":"ieej-edd13044","title":"ALDにより成膜したAl2O3を用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD13044\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2013\/03\/08\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル：\u003c\/strong\u003eALDにより成膜したAl\u003csub\u003e2\u003c\/sub\u003eO\u003csub\u003e3\u003c\/sub\u003eを用いたMIS構造GaNデバイスの電気特性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eElectrical Properties of GaN MIS-Devices with Al2O3 Deposited by ALD\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e久保 俊晴(名古屋工業大学),フリーズマン ジョセフ(名古屋工業大学),岩田 康宏(名古屋工業大学),江川 孝志(名古屋工業大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKubo Toshiharu(Nagoya Institute of Technology),Freedsman Joseph(Nagoya Institute of Technology),Iwata Yasuhiro(Nagoya Institute of Technology),Egawa Takashi(Nagoya Institute of Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|ＭＩＳ|Ａｌ２Ｏ３|原子層堆積|界面|GaN|MIS|Al2O3|ALD|interface\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eGaN系MIS構造デバイスに用いる絶縁膜としてAl2O3に着目し、ALDにより成膜したAl2O3を用いてMIS-diodeおよびMIS-HEMTを作製し、その電気特性をC-VおよびI-V測定により評価した。ALDでは酸素供給源として水が用いられることが多いが、オゾンにより酸化膜中のHが減少することが報告されているため、本研究では水およびオゾンの両方を酸素供給源として用いた。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eAs an insulator for MIS structures, Al2O3 was focused, and MIS-diodes and MIS-HEMTs were fabricated with Al2O3 deposited by ALD. The electrical properties of these devices were investigated by C-V and I-V measurements. In this study, water and ozone were used as oxygen precursors because it has been reported that the H content in oxides can be decreased by using ozone.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e5,186 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362735706351,"sku":"IEEJ-EDD13044-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_73ed546d-8051-4894-a573-7063b98ab3fc.png?v=1743637652","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd13044","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}