{"product_id":"ieej-edd14041","title":"GaNパワー素子のための絶縁膜界面制御","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD14041\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2014\/03\/13\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eControl of insulator interfaces for GaN power electron devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e橋詰 保(北海道大学),谷田部 然治(北海道大学),佐藤 威友(北海道大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTamotsu Hashizume(Hokkaido University),Zenji Yatabe(Hokkaido University),Taketomo Sato(Hokkaido University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ|ＭＩＳ界面|界面準位|GaN|MIS interface|interface state\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e最近は絶縁ゲート構造を持つ電力スイッチング用AlGaN\/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の報告が急激に増加し、様々な絶縁膜が利用されている。パワートランジスタ応用に重要な、GaN系半導体の絶縁膜界面に関連する問題点を概説し、さらに、AlGaN\/GaNヘテロ構造に形成した絶縁ゲート界面の電子準位を評価する手法を紹介し、いくつかの結果を報告する。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,185 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 4","offer_id":46362827129071,"sku":"IEEJ-EDD14041-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_01fea607-f3e5-4479-8100-012abd5c7583.png?v=1743640681","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd14041","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}