{"product_id":"ieej-edd15032","title":"GaNパワーデバイスにおけるトラップ準位の解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD15032\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/04\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCharacterization of trap levels in GaN power device\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e片岡 淳司(東芝),菊地 拓雄(東芝),松葉 博(東芝),叶丸 孝治(東芝),石川 諭(東芝),村上 友佳子(東芝),藪原 秀彦(東芝)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eKataoka Junji(Toshiba Corporation),Kikuchi Takuo(Toshiba Corporation),Hiroshi Matsuba(Toshiba Corporation),Kouji Kanomaru(Toshiba Corporation),Satoshi Ishikawa(Toshiba Corporation),Yukako Murakami(Toshiba Corporation),Hidehiko Yabuhara(Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＳｉＮ|ＡｌＧａＮ|熱処理プロセス|Ｎ脱離|ＸＰＳ|容量－電圧特性|SiN|AlGaN|annealing process|N desorption|XPS|C-V characterization\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e熱処理プロセスがAlGaN\/GaNデバイスの表面物性，電気特性に与える影響を評価した。700℃，N2雰囲気，1時間の熱処理後，XPSによる評価からNの脱離が起きることが分かり，脱離量は4.8%と見積もられた。また，容量-電圧特性において，閾値電圧のダウンシフトが見られた。これはSiN\/AlGaN界面におけるドナー型の離散準位，連続的な界面準位に起因する。離散的な準位密度は2.8E+13cm-2程度であり，この準位がN空孔起因と仮定すると2.5%のN脱離が想定された。XPSで見積もられたN脱離量と近い値であることから、離散的な準位密度はN脱離起因で形成されると推測している。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eWe investigated the influence of an annealing process on surface properties and electrical characteristics of AlGaN\/GaN heterostructure devices. After annealing in N2 at 700 degree C for 1 hour, 4.8 atomic% desorption of N from the AlGaN surface has been estimated by comparison with N1s spectrum of the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Negative voltage shift shown in a capacitance-voltage (C-V) curve for the SiN\/AlGaN\/GaN structure after 700 degree C annealing was attributed to discrete donor traps, whose density was 2.8 x 1013 cm-2, in addition to the continuum interface state at SiN\/AlGaN. The estimated amount of N desorption was 2.5 atomic% under the assumption that the discrete donor traps were formed by N vacancies at the AlGaN surface, and the amount of N desorption estimated by C-V measurement was consistent with XPS results. Therefore, we presumed that the increase of discrete donor traps was due to the N desorption by the annealing treatment.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e675 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362868285679,"sku":"IEEJ-EDD15032-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_37cd8353-6e38-43ed-9069-ca3b68b40828.png?v=1743642420","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd15032","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}