{"product_id":"ieej-edd15035","title":"InAlGaN系歪混晶バリア層を用いた大電流・ノーマリオフトランジスタ","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD15035\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA Novel High-current Density GaN-based Normally-Off Transistor with Tensile Strained Quaternary InAlGaN Barrier\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e梶谷 亮(パナソニック),田中 健一郎(パナソニック),小川 雅弘(パナソニック),石田 秀俊(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyo Kajitani(Panasonic corporation),Kenichiro Tanaka(Panasonic corporation),Masahiro Ogawa(Panasonic corporation),Hidetoshi Ishida(Panasonic corporation),Masahiro Ishida(Panasonic corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化インジウムアルミニウムガリウム|窒化ガリウム|四元混晶|ノーマリオフ|電界効果トランジスタ|パワートランジスタ|InAlGaN|Gallium Nitride|quaternary|GIT (Gate Injection Transistor)|HFET (Heterojunction field effect transistor)|Normally-off\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e大電流化を目的とし、従来のAlGaNバリア層の代わりにInAlGaNバリア層を用いてトランジスタを作製した。大きな分極電荷のため、従来構造においては大電流化とノーマリオフを両立することは困難であった。そこで今回我々は、歪InAlGaN電子障壁層を局所的に除去し、p型AlGaNを再成長することにより閾値電圧+1.1Vのノーマリオフ動作を実現した。歪InAlGaN電子障壁層を用いたノーマリオフHFETの最大電流は0.73 A\/mmを示し、既存のAlGaN電子障壁層を用いた場合と比べ、約2倍の大電流化を実現した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eGaN-based normally-off heterostructure field effect transistor (HFET) with high current density using quaternary InAlGaN barrier instead of AlGaN barrier is investigated. It is difficult to obtain both high-current operation and normally-off operation in the GaN-based HFET because of the controlling of the polarization-induced charge. In order to obtain a normally-off operation using quaternary InAlGaN barrier, the InAlGaN barrier is selectively removed and the p-AlGaN layer is formed for a gate electrode. The obtained threshold voltage of the InAlGaN-based HFET is + 1.1 V. The maximum drain current reaches as high as 0.73 A\/mm, which is almost twice higher than that of the conventional AlGaN-based normally-off Gate Injection Transistor (GIT).\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e890 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362868482287,"sku":"IEEJ-EDD15035-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_7d9abf88-045e-477c-ab07-1f8fd961cad6.png?v=1743642442","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd15035","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}