{"product_id":"ieej-edd15036","title":"Characterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD15036\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2015\/03\/05\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCharacterization method for GaN-based metal-insulator-semiconductor devices by using capacitance-frequency-temperature mapping\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003eShih Hong-An(北陸先端科学技術大学院大学),工藤 昌宏(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eHong-An Shih(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Masahiro Kudo(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e英語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e2,488 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362868154607,"sku":"IEEJ-EDD15036-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_b45778e9-720e-4720-ad1f-8a2b0d338867.png?v=1743642410","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd15036","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}