{"product_id":"ieej-edd16037","title":"1.6ｋＶ耐圧を有するＧａＮ基板上大電流トレンチ型ジャンクションバリアダイオードの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD16037\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2016\/03\/28\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eA high forward current operation in a trench hybrid-junction diode (THD) on GaN substrate with a breakdown voltage of 1.6 kV\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e梶谷 亮(パナソニック),半田 浩之(パナソニック),宇治田 信二(パナソニック),柴田 大輔(パナソニック),小川 雅弘(パナソニック),田中 健一郎(パナソニック),石田 秀俊(パナソニック),田村 聡之(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eRyo Kajitani(Panasonic Corporation),Hiroyuki Handa(Panasonic Corporation),Shinji Ujita(Panasonic Corporation),Daisuke Shibata(Panasonic Corporation),Masahiro Ogawa(Panasonic Corporation),Kenichiro Tanaka(Panasonic Corporation),Hidetoshi Ishida(Panasonic Corporation),Satoshi Tamura(Panasonic Corporation),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e窒化ガリウム|ショットキーバリアダイオード|ＰＮジャンクションダイオード|ＪＢＳダイオード|ＭＰＳダイオード|トレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（ＴＨＤ）|Gallium Nitride|Schottky barrier diode|PN junction diode|JBS (Junction barrier Schottky) Diode|MPS (Merged PiN Schottky) Diode|THD(Trench hybrid-jucntion diode)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003e低立ち上がり電圧・大電流・高耐圧のGaN THD (THD: Trench hybrid-Junction Diode）を新規に開発したので報告する．GaN THDの立ち上がり電圧はGaN SBD (SBD: Shottky barrier diode）と同等の0.8 Vであり，かつ順方向電流密度は印加電圧10 Vにおいて9.0kA \/ cm2と，GaN SBDの電流密度4.4 kA \/ cm2に対し約2倍の大電流を示した．GaN THDの逆方向耐圧は1.6 kVであり，報告されている縦型GaN SBDの中で最も高い値を示した．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) on a GaN substrate with a high forward current density and low turn-on voltage is presented. The turn-on voltages in the GaN THD and GaN Schottky barrier diode (SBD) are 0.8 V. The forward current density in the GaN THD of 9.0 kA \/ cm2 at 10 V is almost twice as that in the GaN SBD of 4.4 kA \/ cm2 at 10 V. A breakdown voltages of the GaN SBD and GaN THD are 1.2 and 1.6 kV.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,005 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362912686319,"sku":"IEEJ-EDD16037-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_0d3d4f4d-ecaa-4c7b-b604-ea75f88ad089.png?v=1743644341","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd16037","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}