{"product_id":"ieej-edd17042","title":"酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD17042\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eObservation of carrier confinement at a (Al,Ga)2O3\/Ga2O3 heterojunction interface\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大島 孝仁(佐賀大学),加藤 勇次(佐賀大学),河野 直士(佐賀大学),倉又 朗人(タムラ製作所\/ノベルクリスタルテクノロジー),山腰 茂伸(タムラ製作所\/ノベルクリスタルテクノロジー),藤田 静雄(京都大学),大石 敏之(佐賀大学),嘉数 誠(佐賀大学)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakayoshi Oshima(Saga University),Yuji Kato(Saga University),Naoto Kawano(Saga University),Akito Kuramata(Tamura Corporation\/Novel Crystal Technology Inc.),Shigenobu Yamakoshi(Tamura Corporation\/Novel Crystal Technology Inc.),Shizuo Fujita(Kyoto Univeristy),Toshiyuki Oishi(Saga University),Makoto Kasu(Saga University)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e酸化ガリウム|ヘテロ接合|変調ドープ|分子線エピタキシー|Ga2O3|heterojunction|modulation doping|MBE\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eβ-Ga2O3系ヘテロ接合における変調ドープ構造を作製するために，β-Ga2O3基板上に直接β (AlxGa1 x)2O3混晶薄膜を作製した．この直接成長では，成長前基板上の吸着物に含まれるSiが，膜中に取り込まれ活性なドナーとなり自然と変調ドープ層が作製される．電極を形成して，容量電圧特性からキャリアの深さ依存性を評価したところ，界面におけるキャリアの閉じ込めを確認できた．この結果は，β-Ga2O3系ヘテロ接合トランジスタの登場を予期させるものである．\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA β (AlxGa1 x)2O3:Si\/Ga2O3 modulation doped structure was fabricated by direct epitaxial growth of β (AlxGa1 x)2O3 on a β-Ga2O3 substrate, in which Si doping into the layer was realized by the incorporation of Si from the adsorbed contaminants on the pre-growth substrate surface.  At the heterojunction interface, we observed confined carriers whose sheet carrier density of on the order of 1012 cm-2.  This successful demonstration of modulation doping will encourage the notion β-Ga2O3-based heterojunction field effect transistors.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e918 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 6","offer_id":46362949877999,"sku":"IEEJ-EDD17042-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_db4f7a14-8e38-4100-a62b-f4f04ac5dbcd.png?v=1743646344","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd17042","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}