{"product_id":"ieej-edd17043","title":"GaN基板と電子デバイス用GaNエピウエハの最新状況","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD17043\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eRecent topics of GaN substrates and GaN epitaxial wafers for electrical  devices\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e乙木 洋平(サイオクス),田中 丈士(サイオクス),吉田 丈洋(サイオクス),柴田 真佐知(サイオクス),堀切 文正(サイオクス),北村 寿朗(サイオクス),藤生 真二郎(サイオクス),藤倉 序章(サイオクス)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eOtoki Yohei(SCIOCS),Tanaka Takeshi(SCIOCS),Yoshida Takehiro(SCIOCS),Shibata Masatomo(SCIOCS),Horikiri Fumimasa(SCIOCS),Kitamura Toshiro(SCIOCS),Fujio Shinjiro(SCIOCS),Fujikura Hajime(SCIOCS)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eＧａＮ|基板|ＭＯＣＶＤ|エピタキシャル成長|電子デバイス|デバイス特性|GaN|substrate|MOCVD|epitaxial growth|electric devices|device performnce\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eVAS法によるGaN基板はLD,LEDなど光デバイス用に実用化している。Geドープによる低抵抗化、タイリング法による大口径化、など高品質化・量産技術向上がすすすんでいる。電子デバイス用では半絶縁性結晶が実用化。そのエピ成長はGaAs系にくらべ、成長条件の許容幅が狭く、高精度の制御、さらに結晶中のトラップとなる点欠陥を知り制御することが重要。最近、GaN基板の使用により、ショットキー特性、線形性、耐圧などの向上が報告されている。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eThe GaN substrates by VAS method have been in practical stage for optical devices. An improvement of their quality and mass production technology keep on progressing. Semi-insulating substrates are used for lateral electronic devices. Its epitaxial growth needs precise control. Recently, improvements of Schottky characteristics, linearity, breakdown voltage have been reported by using GaN substrate.\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,291 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362949976303,"sku":"IEEJ-EDD17043-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_36d71dd6-9bd8-4811-b498-c59fc58a2b76.png?v=1743646347","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd17043","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}