{"product_id":"ieej-edd17044","title":"再成長p-GaN\/AlGaN\/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEDD17044\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2017\/03\/09\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eNormally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN\/AlGaN\/GaN Semipolar Gate Structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e柴田 大輔(パナソニック),半田 浩之(パナソニック),塩崎 奈々子(パナソニック),梶谷 亮(パナソニック),梅田 英和(パナソニック),宇治田 信二(パナソニック),小川 雅弘(パナソニック),田中 健一郎(パナソニック),田村 聡之(パナソニック),初田 次康(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eDaisuke Shibata(Panasonic Corporation),Hiroyuki Handa(Panasonic Corporation),Nanako Shiozaki(Panasonic Corporation),Ryo Kajitani(Panasonic Corporation),Hidekazu Umeda(Panasonic Corporation),Shinji Ujita(Panasonic Corporation),Masahiro Ogawa(Panasonic Corporation),Kenichiro Tanaka(Panasonic Corporation),Satoshi Tamura(Panasonic Corporation),Tsuguyasu Hatsuda(Panasonic Corporation),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e縦型トランジスタ|ＧａＮ基板|ノーマリオフ|半極性ゲート|高しきい値電圧|vertical transistor|GaN substrate|normally-off|semipolar gate|high threshold voltage\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(日本語): \u003c\/strong\u003eGaN基板上縦型GaNトランジスタにおいてRonA=1.0 mΩcm2および耐圧1.7kVを実現。半極性P-GaN \/ AlGaN \/ GaNゲート構造を採用し2.5Vの高いしきい値電圧を実現した。作製した大電流デバイスにおいて、400V \/ 15Aの大電流スイッチングを実証した。\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e要約(英語): \u003c\/strong\u003eA normally-off vertical GaN-based transistor on a bulk GaN substrate with low specific on-state resistance of 1.0 mΩcm2 and high breakdown voltage of 1.7 kV is presented. Semipolar P-GaN\/AlGaN\/GaN gate enables high threshold voltages of 2.5 V and stable switching operations. The fabricated high-current vertical transistor achieves successful fast switching at 400V\/15A. \u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,333 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 5","offer_id":46362950009071,"sku":"IEEJ-EDD17044-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_5ebb9483-1e31-4aef-8772-16fce43c43c1.png?v=1743646350","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-edd17044","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}