{"product_id":"ieej-efm05024","title":"ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05024\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eInfluence of Nitrogen Distribution in Ultra-thin SiON on NBTI under AC Stress\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e三谷 祐一(株),松澤一也東芝 研究開発センター LSI 基盤技術ラボラトリー (株)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eYuichiro Mitani(Advanced LST Technology Laboratory. Corporated Reserch and Development Center,Toshiba Corporation),Kazuya Matsusawa(Advanced LST Technology Laboratory. Corporated Reserch and Development Center,Toshiba Corporation)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e負バイアス温度不安定性|間借|回復|ACストレス|界面準位|信頼性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,047 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654001903,"sku":"IEEJ-EFM05024-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_c46a1fd6-3c4b-4e59-aef5-c87a14516ff7.png?v=1743609933","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05024","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}