{"product_id":"ieej-efm05025","title":"キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05025\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eCarrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e水林 亘(半導体MIRA-産総研 ASRC),安田 直樹(半導体MIRAI-ASET),岡田 健治(半導体MIRAI-ASET),太田 裕之(半導体MIRA-産総研 ASRC),堀川 剛(半導体MIRA-産総研 ASRC),岩本 邦彦(半導体MIRAI-ASET),生田目 俊秀(半導体MIRAI-ASET),佐竹 秀喜(半導体MIRAI-ASET),鳥海 明(半導体MIRA-産総研 ASRC,東大)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eWataru Mizubayashi(MIRAI-AIST),Naoki Yasuda(MIRAI-ASET),Kenji Okada(MIRAI-ASET),Hiroyuki Ota(MTRAl-AIST),Tsuyoshi Horikawa(MTRAl-AIST),Kunihiko Iwamoto(MIRAI-ASET),Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET),Hideki Satake(MIRAI-ASET),Akira Toriumi(MIRAI-AIST,Univ.of Tokyo)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003ehigh-k|キャリア分離法|キャリア伝導|絶縁性劣化\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e962 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654034671,"sku":"IEEJ-EFM05025-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_1803bf02-c540-42bc-8b98-1dcd404e7741.png?v=1743609937","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05025","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}