{"product_id":"ieej-efm05026","title":"低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05026\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eIntegration of HfSiON Transistors for Low-Standby-Power Applications\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e大塚 文雄(半導体先端テクノロジーズ(selete)),峰地輝(NECエレクトロニクス),田村泰之(半導体先端テクノロジーズ(selete)),渡辺俊成(半導体先端テクノロジーズ(selete)),佐々木隆興(セイコーエプソン),青山知憲(東芝),安平光雄(松下電器産業),有門経敏 (東京エレクトロン)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eFumio Ootsuka()\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003eHfSiON トランジスタ|低リーク|低スタンバイ電力､SRAM､低熱負荷\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e1,184 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654165743,"sku":"IEEJ-EFM05026-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_3fbcea3f-deee-4312-b112-58bcf43387c6.png?v=1743609940","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05026","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}