{"product_id":"ieej-efm05028","title":"HfSiONゲート絶縁膜CMOSの性能と信頼性におけるHf濃度の影響","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05028\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eImpact of Hf Concentration on Performance and Reliability for HfSiON-CMOS\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e渡辺 健(株式会社 東芝 セミコンダクタ一社),高柳 万里子(株式会社 東芝 セミコンダクタ一社)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eTakeshi Watanabe(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Mariko Takayanagi(Toshiba Corporation Semiconductor Company)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e相補型金属酸化膜半導体|窒化ハフニウムシリケ- ト|高誘電率膜|ゲート絶縁膜|ハフニウム濃度\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e937 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654264047,"sku":"IEEJ-EFM05028-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_515db46c-28f8-4311-9478-12d1f8603eff.png?v=1743609946","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05028","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}