{"product_id":"ieej-efm05031","title":"HfAIOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05031\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eEffects of Fabrication Condition of HfAIO Buffer Layers on Electrical Properties of Ferroelectric-gate FETs\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e高橋 光恵(独立行政法人 産業技術総合研究所),堀内 健史(独立行政法人 産業技術総合研究所),酒井 滋樹(独立行政法人 産業技術総合研究所)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eMitsue Takahashi(AIST),Takeshi Horiuchi(AIST),Shigeki Sakai(AIST)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e強誘電体ゲートFET|SBT|HfAIO|IT FeRAM|MFIS|保持特性\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e774 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 8","offer_id":46361654526191,"sku":"IEEJ-EFM05031-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_d0451ca0-f1c0-4f31-a9c6-d4dc33b44a10.png?v=1743609956","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05031","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}