{"product_id":"ieej-efm05032","title":"YMnO3\/Y2O3\/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性","description":"\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eカテゴリ: \u003c\/strong\u003e研究会(論文単位)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e論文No: \u003c\/strong\u003eEFM05032\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eグループ名: \u003c\/strong\u003e【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e発行日: \u003c\/strong\u003e2005\/06\/03\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eタイトル(英語): \u003c\/strong\u003eDielectric Prosperities of Epitaxial YMnO3\/Y2O3\/Si MFIS structure\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名: \u003c\/strong\u003e藤村 紀文(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野),原武 耕平(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野),吉村 武(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e著者名(英語): \u003c\/strong\u003eNorifumi Fujimura(Osaka Prefecture Univ.),Kohei Haratake(Osaka Prefecture Univ.),Takeshi Yoshimura(Osaka Prefecture Univ.)\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003eキーワード: \u003c\/strong\u003e強誘電体ゲートトランジスタ|MFISキャパシタ|誘電特性|リーク電流|メモリ保持特性|YMnO3\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003e原稿種別: \u003c\/strong\u003e日本語\u003c\/p\u003e\u003cp\u003e\u003cstrong\u003ePDFファイルサイズ: \u003c\/strong\u003e986 Kバイト\u003c\/p\u003e","brand":"IEEJ-PDF","offers":[{"title":"PDFダウンロード（一般価格330円\/会員価格220円） \/ A4 \/ 9","offer_id":46361654558959,"sku":"IEEJ-EFM05032-PDF","price":330.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0718\/9512\/2159\/files\/IEEJ-PDF_f53a5534-ec2b-49fd-aa00-962a856a700b.png?v=1743609959","url":"https:\/\/ieej.bookpark.ne.jp\/products\/ieej-efm05032","provider":"電気学会 電子図書館","version":"1.0","type":"link"}